●金屬(shu)氯(lv)化(hua)(hua)物(wu)生產 在溫度為(wei)700 ℃和有光氣 、NiCl 2存在下,可通(tong)過(guo)碳(tan)硅(gui)和氯(lv)化(hua)(hua)氫反(fan)應(ying)制(zhi)取四氯(lv)化(hua)(hua)硅(gui) 。也可通(tong)過(guo)相應(ying)的金屬(shu)氮化(hua)(hua)物(wu)和氯(lv)化(hua)(hua)氫反(fan)應(ying)來制(zhi)取Mo、Nb、Ta、Ti、Zr、Hf、Cr、W等金屬(shu)的....
精制后的(de)氯化氫氣體由于雜質量很少(尤其(qi)是有機物),因(yin)此(ci)其(qi)用途廣泛,下面簡(jian)單敘述其(qi)利(li)用途徑 。 ●生產(chan)鹽酸(suan) 精制后的(de)HCl氣(在填料塔或膜式吸收塔)用水吸收可(ke)生產(chan)工業級鹽酸(suan),這是大多....
外(wai)延(yan)生(sheng)長(chang)實際上主要是一(yi)個(ge)化學反應過程(cheng)。硅(gui)(gui)外(wai)延(yan)生(sheng)長(chang)使用的主要氣源是氫氣和氯(lv)硅(gui)(gui)烷類，如四(si)氯(lv)化硅(gui)(gui)（SiCl4）、三(san)氯(lv)甲硅(gui)(gui)烷（SiHCl3）和二氯(lv)甲硅(gui)(gui)烷（SiH2Cl2）。另外(wai)，為了降低(di)生(sheng)長(chang)溫度....
各類氣瓶的(de)檢驗(yan)周(zhou)期，不得超過下列規定(否(fou)則耗子尾(wei)汁)： 1、 盛裝(zhuang)腐蝕性(xing)氣體（H2S、HC L、SO2、CO等）的(de)氣瓶、潛水氣瓶以及常(chang)與(yu)海(hai)水接觸(chu)的(de)氣瓶每二年(nian)檢驗(yan)一次。 2、 盛裝(zhuang)一般性(xing)氣體（....
硅烷的(de)又一(yi)應(ying)用是(shi)非(fei)晶(jing)半導(dao)體(ti)(ti)非(fei)晶(jing)硅。與單晶(jing)半導(dao)體(ti)(ti)材料相(xiang)比非(fei)晶(jing)硅的(de)特(te)點是(shi)容易形成極薄的(de)(厚度(du)10nm左右)大面(mian)積器件，襯底可(ke)以(yi)是(shi)玻璃、不銹鋼(gang)、甚至塑料，表面(mian)可(ke)以(yi)是(shi)平面(mian)也可(ke)是(shi)曲....
二氧化碳（CO2）氣體(ti)保護焊(han)時，由(you)于熔滴過渡(du)的不同形式，需采(cai)用(yong)不同的焊(han)接工(gong)藝參數 （1）短路過渡(du)時的工(gong)藝參數 短路過渡(du)焊(han)接采(cai)用(yong)細絲焊(han)，常用(yong)焊(han)絲直(zhi)徑為0.6～1.2，隨著焊(han)絲直(zhi)徑增(zeng)....
3、摻(chan)雜(za)混(hun)合氣：在(zai)半導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)器件和集成電(dian)路(lu)制(zhi)(zhi)造中(zhong)，進口(kou)電(dian)子氣體(ti)(ti)加微信號bluceren咨詢了解(jie)。將某些(xie)雜(za)質摻(chan)入半導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)材(cai)料內，使材(cai)料具有所需要的導(dao)(dao)(dao)電(dian)類型和一定的電(dian)阻(zu)率，以制(zhi)(zhi)造電(dian)阻(zu)、....
1、外(wai)延（生長）混合氣(qi)：在半導(dao)體(ti)(ti)工業中，在仔細選(xuan)擇(ze)的(de)襯底上選(xuan)用化(hua)學(xue)氣(qi)相淀積的(de)方法(fa)，生長一層(ceng)或多層(ceng)材料(liao)所用的(de)氣(qi)體(ti)(ti)叫作外(wai)延氣(qi)體(ti)(ti)。常用的(de)硅外(wai)延氣(qi)體(ti)(ti)有二(er)氯二(er)氫(qing)硅（DCS）、四氯....
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